반도체에서 깁스에너지가 낮아지면 어떤일이 일어날까요?
- 글쓴이
- 전지전지전지
- 등록일
- 2014-10-19 16:27
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안녕하세요.. 공대4학년 학생입니다.
전공시험도 끝나고 심심해서 인터넷서핑중에 문득 든 생각입니다..
반도체에서 깁스에너지가 낮아지면..즉 자발적인 반응이 진행되도록두면어떻게될까요?
애초에 반도체가 깁스에너지와 관련된 그래프라던지 이론을 본적이 없긴하지만..G=H-TS에서 온도나 엔탈피변화는 자발적인 반응의 경우에서 일정하다고보면 변수는 엔트로피라고 볼 수 있는데요
제가 생각해본것은
1. bandgap이 좁아지며 금속과 같은 성질을 가진다
->열역학2법칙에 의하면 원자간의 간격이 점차 커지며(엔트로피증가) 반도체의 밴드갭이 줄어드는게 자발적이라고 볼 수 있기때문에
2. 아무일 업다
->애초에 반도체란 도핑이라던지 외부의 에너지공급, 온도변화등 없이는 부도체와 같기 때문에 자발적으로는 아무일도 안일어난다.
두가지가 있는데요 혹시 참고할만한 책이나 이론이 있을까요??
전공시험도 끝나고 심심해서 인터넷서핑중에 문득 든 생각입니다..
반도체에서 깁스에너지가 낮아지면..즉 자발적인 반응이 진행되도록두면어떻게될까요?
애초에 반도체가 깁스에너지와 관련된 그래프라던지 이론을 본적이 없긴하지만..G=H-TS에서 온도나 엔탈피변화는 자발적인 반응의 경우에서 일정하다고보면 변수는 엔트로피라고 볼 수 있는데요
제가 생각해본것은
1. bandgap이 좁아지며 금속과 같은 성질을 가진다
->열역학2법칙에 의하면 원자간의 간격이 점차 커지며(엔트로피증가) 반도체의 밴드갭이 줄어드는게 자발적이라고 볼 수 있기때문에
2. 아무일 업다
->애초에 반도체란 도핑이라던지 외부의 에너지공급, 온도변화등 없이는 부도체와 같기 때문에 자발적으로는 아무일도 안일어난다.
두가지가 있는데요 혹시 참고할만한 책이나 이론이 있을까요??
